Высказывания: Время придет, когда наших потомков будет забавлять, что мы не знали понятий, которые они считают такими простыми… Луций Анней Сенека
Основные параметры биполярного, сверхвысокочастотного, npn транзистора КТ9132АС
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, сверхвысокочастотного, npn транзистора КТ9132АС . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
163000
11000
-
700000000
-
4
Производитель: USSR Сфера применения: Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора КТ9132АС
Общий вид транзистора КТ9132АС.
Цоколевка транзистора КТ9132АС.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.