Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 2Т316Д.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

23.1.2023 Итоги 2022 года показали стабильный рост выру...

22.1.2023 Строится фабрика для производства микроэлектр...

24.11.2022 Открыт новый путь развития полупроводниковой ...







Высказывания:
Всяк, кто живет, уйдет,
Бессмертен только тот,
Кто славу добрую
При жизни обретет.
Саади



Основные параметры биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора 2Т316Д

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора 2Т316Д . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
1501030-800000000 3-

Производитель: USSR
Сфера применения:
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2Т316Д

Общий вид транзистора 2Т316Д.Цоколевка транзистора 2Т316Д.
Общий вид транзистора 2Т316Д Цоколевка транзистора 2Т316Д

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2021-11-08 10:06:10.


Аналоги транзистора 2Т316Д


Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2Т316Д.

Вы знаете больше о транзисторе 2Т316Д, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2Т316Д.
Добавить рисунок транзистора 2Т316Д.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2Т316Д.

Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:




По маркировке

2008-2023. Параметры транзисторов. 7531.
Top.Mail.Ru