Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 2N7052.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

28.1.2023 Не названные, информированные источники агент...

23.1.2023 Итоги 2022 года показали стабильный рост выру...

22.1.2023 Строится фабрика для производства микроэлектр...







Армейский юмор:
Перестаньте рассматривать в оптический прицел винтовки женщин на пляже! Они разбегаются, и полковник не может навести бинокль.




Основные параметры биполярного высокочастотного npn транзистора 2N7052

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N7052 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
800100100121500-55+150200000000 101000-20000

Производитель: FairChild (Samsung)
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора 2N7052: Корпус: TO-92.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2N7052

Общий вид транзистора 2N7052.Цоколевка транзистора 2N7052.
Общий вид транзистора 2N7052 Цоколевка транзистора 2N7052

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2022-01-05 14:44:12.


Аналоги транзистора 2N7052


Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2N7052.

Вы знаете больше о транзисторе 2N7052, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2N7052.
Добавить рисунок транзистора 2N7052.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2N7052.

Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:




По маркировке

2008-2023. Параметры транзисторов. 7531.
Top.Mail.Ru