Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 2SC5027 TOSHIBA.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

28.1.2023 Не названные, информированные источники агент...

23.1.2023 Итоги 2022 года показали стабильный рост выру...

22.1.2023 Строится фабрика для производства микроэлектр...







Высказывания:
Незнакомка - женщина, с которой можно прожить всю жизнь.




Основные параметры биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC5027 TOSHIBA

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC5027 TOSHIBA . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
1300300300710015070000000 330-200

Производитель: TOSHIBA
Сфера применения:
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2SC5027 TOSHIBA

Общий вид транзистора 2SC5027 TOSHIBA.Цоколевка транзистора 2SC5027 TOSHIBA.
Общий вид транзистора 2SC5027 TOSHIBA Цоколевка транзистора 2SC5027 TOSHIBA

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2016-01-02 11:04:38; Пользователь: med.


Аналоги транзистора 2SC5027 TOSHIBA
Спецификация (datasheet) транзистора 2SC5027 TOSHIBA


Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC5027 TOSHIBA.

Вы знаете больше о транзисторе 2SC5027 TOSHIBA, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2SC5027 TOSHIBA.
Добавить рисунок транзистора 2SC5027 TOSHIBA.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2SC5027 TOSHIBA.

Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:




По маркировке

2008-2023. Параметры транзисторов. 7531.
Top.Mail.Ru