Юмор: Сегодня Президент США Барак Обама встретил в Белом доме Президента России В.В.Путина. При этом он искренне удивился и спросил, что тот здесь делает.
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора MJE344G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора MJE344G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
20000
200
200
5
500
-65+150
15000000
15
30-300
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MJE344G:
Корпус: TO-225. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJE344G
Общий вид транзистора MJE344G.
Цоколевка транзистора MJE344G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.