Компьютерный юмор: В новой русифицированной версии Dos сообщение "Abort, Retry or Ignore?" будет заменено на "Hафиг, Hефиг или Пофиг?"
Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора NTE2362
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора NTE2362 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
300
60
50
5
800
-55+150
300000000
3.7
200-400
Производитель: NTE Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора NTE2362:
Ton 70nS, Toff 470nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора NTE2362
Общий вид транзистора NTE2362.
Цоколевка транзистора NTE2362.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.