Компьютерный юмор: В новой русифицированной версии Dos сообщение "Abort, Retry or Ignore?" будет заменено на "Hафиг, Hефиг или Пофиг?"
Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора 2SA821S
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора 2SA821S . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
250
210
210
5
30
-
50000000
-
56-270
Производитель: CJ-Elec Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2SA821S:
Корпус: TO-92S. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SA821S
Общий вид транзистора 2SA821S.
Цоколевка транзистора 2SA821S.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.