Высказывания: Каждым своим неординарным поступком мы наживаем себе врага. Чтобы завоевать популярность, надо быть посредственностью. Оскар Уайльд
Основные параметры биполярного высокочастотного pnp транзистора 2SAR533P
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2SAR533P . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
2000
50
50
6
6000
-55+150
300000000
24
180-450
Производитель: ROHM Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2SAR533P:
Корпус: SOT-89. Ton 45nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SAR533P
Общий вид транзистора 2SAR533P.
Цоколевка транзистора 2SAR533P.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
