Высказывания: Терпеть не могу длинных книг, этих пространных батальных полотен. Мысль должна быть сгущенной до предела и разить наповал. Сальвадор Дали
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора 2SD2333
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора 2SD2333 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
800
1500
600
5
5000
150
8
8
Производитель: SavantIC Semiconductor Сфера применения: Silicon NPN Power Transistors Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SD2333
Общий вид транзистора 2SD2333.
Цоколевка транзистора 2SD2333.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Дата создания страницы: 2011-08-10 18:49:47; Пользователь: 1_elektronik.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
