Высказывания: Любые издержки на построение системы информационной безопасности больше, чем вы ожидаете. следствие пятого закона Фостера
Основные параметры биполярного, сверхвысокочастотного, npn транзистора 15C02MH
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, сверхвысокочастотного, npn транзистора 15C02MH . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
600
20
15
5
2000
-55+150
440000000
4
300-800
Производитель: Sanyo Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 15C02MH:
Ton 30nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 15C02MH
Общий вид транзистора 15C02MH.
Цоколевка транзистора 15C02MH.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.