Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 2SJ306.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

28.1.2023 Не названные, информированные источники агент...

23.1.2023 Итоги 2022 года показали стабильный рост выру...

22.1.2023 Строится фабрика для производства микроэлектр...







Высказывания:
Даже если ваше объяснение настолько ясно, что исключает всякое ложное толкование, все равно найдется человек, который поймет вас неправильно.




Основные параметры полевого p-канального транзистора 2SJ306

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого p-канального транзистора 2SJ306 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: p-канал
Структура (технология): MOSFET

Pd max, мВтUds max, ВUdg max, ВUgs max, ВId max, мАTj max, °CFr (T on/of)Ciss tip, пФRds, Ом
25000-250±30-3000-55+150(Ton:14ns/Toff:75ns) 6002

Производитель: SANYO
Сфера применения:
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2SJ306

Общий вид транзистора 2SJ306.Цоколевка транзистора 2SJ306.
Общий вид транзистора 2SJ306 Цоколевка транзистора 2SJ306

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.

Дата создания страницы: 2016-09-07 10:58:34; Пользователь: Дмитрий.



Аналоги транзистора 2SJ306
Спецификация (datasheet) транзистора 2SJ306

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SJ306.

Вы знаете больше о транзисторе 2SJ306, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2SJ306.
Добавить рисунок транзистора 2SJ306.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2SJ306.

Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:




По маркировке

2008-2023. Параметры транзисторов. 7531.
Top.Mail.Ru