Юмор: Просыпаясь утром мужик шарит слева - никого, справа - тоже никого. Поднимает одеяло и говорит: "Ну и чего стоим? Кого ждем?"
Основные параметры полевого n-канального транзистора IPB083N10N3G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора IPB083N10N3G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
125000
100
-
3,5
320000
-
-
3980
0,0083
Производитель: Others Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора IPB083N10N3G:
Корпус: TO-263; Rth: 1,2°C; Qg: 42нКл; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IPB083N10N3G
Общий вид транзистора IPB083N10N3G.
Цоколевка транзистора IPB083N10N3G.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2024-07-23 13:01:19; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.