Высказывания: Нет на свете печальней измены, Чем измена себе самому. Заболоцкий Николай Алексеевич
Основные параметры транзистора SGL160N60UF (БТИЗ, IGBT).
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума. Cтраница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора SGL160N60UF с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: n-канал
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
250000
600
2.1
20
160000
150
101
600
Производитель: Сфера применения: Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора SGL160N60UF
Общий вид транзистора SGL160N60UF.
Цоколевка транзистора SGL160N60UF.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.